テストソリューション
ウェーハ（CV/IV/P-IV）試験は半導体パラメータ測定に広く利用されており、特にウェーハレベルのMOSFET構造測定に適しています。CV/P-IV/IV測定はその他の半導体デバイスやプロセス特性分析にも適用可能で、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）、JFETデバイス、有機太陽電池、MEMSデバイス、TFTモニター、フォトダイオード、カーボンナノチューブなど、様々な半導体デバイスの基本特性測定に最適です。プロセス性能向上、デバイス試験プロセスパラメータの最適化、故障メカニズム解析など多様な用途に適しています.
近年、我が国における半導体産業への認識と資源配分が高まる中、大学研究室のハードウェア更新は重要な課題の一つとなっています。しかし、大学教育における資源配分の制約から、予算が限られた条件下でも、測定精度と試験基準を確保しつつ、将来の製品再利用率を考慮した資源浪費の回避が求められます。長年にわたる市場経験と大学連携を通じて、教育用実験プローブ装置に求められる指標を以下のようにまとめました.
● 大学実験室環境の要件に基づき、高精度試験を確保しつつ省スペース化を実現.
● 専門的な試験基準の品質を維持した上で、競争力ある価格のプローブテーブル装置を提供.
● 操作の簡易性を実現
● 操作訓練の負荷を最小化
● 構造の安定性と高精度試験を両立
● 測定データの高速取得を可能に
● モジュール式カスタマイズにより多様なアプリケーション向けに容易な再構成・アップグレードが可能.
● 高い適応性を備え、改善・拡張が必要な場合でも機器のアップグレードと機能拡張を再実施可能.
6インチウェーハのI-V特性、C-V特性、P-IV試験.
40μm以上の電極ポイント測定, 10pA以内のリーク電流精度
